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MJ11012G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 200 W, 30 A, TO-204AA, 2 Pins
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,150 $ |
| 10+ | 7,520 $ |
| 25+ | 7,520 $ |
| 50+ | 7,520 $ |
| 100+ | 6,990 $ |
| 300+ | 6,110 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11012G
Code Commande42K1309
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Collector Emitter Voltage Max60V
Transition Frequency-
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation Pd200W
DC Collector Current30A
Power Dissipation200W
RF Transistor CaseTO-204AA
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor Case StyleTO-204AA
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ11012G is a NPN bipolar power Darlington Transistor designed for use as output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Complementary device
- Monolithic construction with built-in base emitter shunt resistors
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
30A
DC Collector Current
30A
RF Transistor Case
TO-204AA
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Transition Frequency
-
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-204AA
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits