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MJD3055T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD3055T4G
Code Commande98H0734
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd1.75W
Power Dissipation1.75W
DC Collector Current10A
DC Current Gain hFE5hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min5hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
Power Dissipation Pd
1.75W
DC Collector Current
10A
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
5hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
60V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
1.75W
DC Current Gain hFE
5hFE
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits