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MMBTA06LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTA06LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant76 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1329
Mise en bobine98H0741RL
Bandes découpées98H0741
Gamme de produitMMBTxxxx Series
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,278 $ | 0,28 $ |
| Total Prix | 0,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,278 $ |
| 50+ | 0,217 $ |
| 100+ | 0,213 $ |
| 250+ | 0,209 $ |
| 500+ | 0,204 $ |
| 1000+ | 0,200 $ |
| 2500+ | 0,195 $ |
| 5000+ | 0,190 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,053 $ |
| 9000+ | 0,051 $ |
| 15000+ | 0,050 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTA06LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant76 semaines
Code Commande
Bobine complète67R1329
Mise en bobine98H0741RL
Bandes découpées98H0741
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation300mW
Power Dissipation Pd300mW
DC Collector Current500mA
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Produits de remplacement pour MMBTA06LT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
MMBTA06LT1G is a driver transistor.
- Collector-emitter voltage is 80VDC min (IC = 1.0mAdc, IB = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 4.0VDC min (IE = 100ADC, IC = 0, TA = 25°C
- Collector current - continuous is 500mAdc
- Electrostatic discharge HBM Class 3B, MM Class C, CDM Class IV
- Total device dissipation FR-5 board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance, junction-to-ambient is 556°C/W max
- DC current gain is 100 min (IC = 10mAdc, VCE = 1.0VDC, TA = 25°C)
- Current-gain - bandwidth product is 100MHz min (IC = 10mA, VCE = 2.0 V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
300mW
DC Collector Current
500mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
100hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (14-Jun-2023)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits