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MUN5315DW1T1G
Bipolar Transistor Array, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, -100 mA, -100 mA, 187 mW
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMUN5315DW1T1G
Code Commande09R9577
Fiche technique
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN-100mA
Continuous Collector Current PNP-100mA
Power Dissipation NPN187mW
Power Dissipation PNP187mW
DC Current Gain hFE Min NPN160hFE
DC Current Gain hFE Min PNP160hFE
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
-100mA
Power Dissipation PNP
187mW
DC Current Gain hFE Min PNP
160hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
-100mA
Power Dissipation NPN
187mW
DC Current Gain hFE Min NPN
160hFE
Transistor Case Style
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit