Imprimer la page
NDC7002N
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 510 mA, 2 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7002NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2653
Mise en bobine79K5296RL
Bandes découpées79K5296
Votre numéro de pièce
55 396 En Stock
55 396 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,090 $ | 1,09 $ |
| Total Prix | 1,09 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,090 $ |
| 10+ | 0,672 $ |
| 25+ | 0,591 $ |
| 50+ | 0,513 $ |
| 100+ | 0,433 $ |
| 250+ | 0,381 $ |
| 500+ | 0,330 $ |
| 1000+ | 0,295 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,209 $ |
| 6000+ | 0,201 $ |
| 12000+ | 0,174 $ |
| 18000+ | 0,171 $ |
| 30000+ | 0,169 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7002NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2653
Mise en bobine79K5296RL
Bandes découpées79K5296
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id510mA
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
510mA
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NDC7002N
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit