Imprimer la page
NDS331N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS331NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2656
Bobine complète67R2124
Mise en bobine58K2016RL
Bandes découpées58K2016
Votre numéro de pièce
211 783 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,905 $ | 0,90 $ |
| Total Prix | 0,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,905 $ |
| 50+ | 0,550 $ |
| 100+ | 0,376 $ |
| 250+ | 0,338 $ |
| 500+ | 0,298 $ |
| 1000+ | 0,267 $ |
| 2500+ | 0,246 $ |
| 5000+ | 0,223 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,191 $ |
| 6000+ | 0,189 $ |
| 12000+ | 0,174 $ |
| 18000+ | 0,171 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS331NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2656
Bobine complète67R2124
Mise en bobine58K2016RL
Bandes découpées58K2016
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS331N is a N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance. Suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
Applications
Power Management, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NDS331N
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit