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NDS9945
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.076 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS9945Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6827
Mise en bobine03H3057RL
Bandes découpées03H3057
Votre numéro de pièce
2 794 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,950 $ | 3,95 $ |
| Total Prix | 3,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,950 $ |
| 50+ | 2,660 $ |
| 100+ | 2,140 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1000+ | 2,020 $ |
| 2500+ | 1,970 $ |
| 5000+ | 1,930 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,170 $ |
| 7500+ | 2,130 $ |
| 12500+ | 2,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDS9945Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6827
Mise en bobine03H3057RL
Bandes découpées03H3057
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.076ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.076ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDS9945 is a 60V Dual N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications such as disk drive motor control, battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate to source voltage
- 78°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W thermal resistance, junction to case
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.076ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
3.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.076ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit