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NDT014L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT014LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2130
Mise en bobine34X1292
Bandes découpées34X1292
Votre numéro de pièce
30 036 En Stock
6 036 disponibles sur {packagingType}
24 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,240 $ | 2,24 $ |
| Total Prix | 2,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,240 $ |
| 10+ | 1,410 $ |
| 25+ | 1,260 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
| 100+ | 0,939 $ |
| 250+ | 0,839 $ |
| 500+ | 0,737 $ |
| 1000+ | 0,672 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,714 $ |
| 6000+ | 0,659 $ |
| 12000+ | 0,617 $ |
| 18000+ | 0,574 $ |
| 30000+ | 0,548 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT014LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2130
Mise en bobine34X1292
Bandes découpées34X1292
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NDT014L is a N-channel logic level enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NDT014L
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit