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NTA4151PT1G.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,115 $ |
| 9000+ | 0,105 $ |
| 15000+ | 0,104 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
345,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTA4151PT1G.Copie
Code Commande26AC2739
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id760mA
Drain Source On State Resistance0.26ohm
On Resistance Rds(on)0.26ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd301mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSC-75
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation301mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
760mA
On Resistance Rds(on)
0.26ohm
Power Dissipation Pd
301mW
Transistor Case Style
SC-75
Power Dissipation
301mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit