Imprimer la page
NTBG025N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG025N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète47AK6046
Mise en bobine51AK1475RL
Bandes découpées51AK1475
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
21 600 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 35,940 $ | 35,94 $ |
| Total Prix | 35,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 35,940 $ |
| 50+ | 27,890 $ |
| 100+ | 27,280 $ |
| 250+ | 26,640 $ |
| 500+ | 26,000 $ |
| 1000+ | 25,470 $ |
| 2500+ | 24,960 $ |
| 5000+ | 24,440 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 15,950 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG025N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète47AK6046
Mise en bobine51AK1475RL
Bandes découpées51AK1475
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation395W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
395W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG025N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit