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NTBL075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 85 mohm, H-PSOF
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBL075N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine08AM4234RL
Bandes découpées08AM4234
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
1 980 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 11,730 $ | 11,73 $ |
| Total Prix | 11,73 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,730 $ |
| 50+ | 8,410 $ |
| 100+ | 6,190 $ |
| 250+ | 6,160 $ |
| 500+ | 6,120 $ |
| 1000+ | 5,910 $ |
| 2500+ | 5,720 $ |
| 5000+ | 5,610 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBL075N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine08AM4234RL
Bandes découpées08AM4234
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
85mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
139W
Product Range
EliteSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit