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NTD360N80S3Z
MOSFET, N-CH, 800V, 13A, TO-252
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD360N80S3ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande82AH7655
Gamme de produitSuperFET III
Votre numéro de pièce
2 192 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,740 $ |
| 10+ | 3,440 $ |
| 25+ | 3,190 $ |
| 50+ | 2,920 $ |
| 100+ | 2,670 $ |
| 250+ | 2,510 $ |
| 500+ | 2,350 $ |
| 1000+ | 2,130 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,74 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD360N80S3ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande82AH7655
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id13A
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd96W
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
96W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit