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NTGS3441T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.35 A, 0.09 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS3441T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande83H7822
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,315 $ |
| 6000+ | 0,295 $ |
| 9000+ | 0,290 $ |
| 15000+ | 0,284 $ |
| 30000+ | 0,277 $ |
| 75000+ | 0,272 $ |
| 150000+ | 0,266 $ |
| 300000+ | 0,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
945,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS3441T1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande83H7822
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.35A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.05V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.35A
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.05V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit