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NTH4L028N170M1
MOSFET, SIC, 1.7KV, 81A, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L028N170M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande65AK6018
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
558 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 64,820 $ |
| 5+ | 62,390 $ |
| 10+ | 59,660 $ |
| 25+ | 56,690 $ |
| 50+ | 53,980 $ |
| 100+ | 53,160 $ |
| 250+ | 52,070 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
64,82 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L028N170M1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande65AK6018
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation535W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
81A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
535W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NTH4L028N170M1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit