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NTH4L045N065SC1
MOSFET, N-CH, 650V, 55A, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande50AJ5889
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
297 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,510 $ |
| 10+ | 20,410 $ |
| 25+ | 20,010 $ |
| 50+ | 18,590 $ |
| 100+ | 17,880 $ |
| 250+ | 16,230 $ |
| 500+ | 15,920 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
21,51 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande50AJ5889
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation Pd187W
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation
187W
Product Range
EliteSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
187W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTH4L045N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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