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NTHS4101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.8 A, 0.034 ohm, ChipFET, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHS4101PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande83H7829
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,831 $ |
| 9000+ | 0,799 $ |
| 15000+ | 0,784 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 493,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHS4101PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande83H7829
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.8A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.3W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleChipFET
Power Dissipation1.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
ChipFET
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.8A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Power Dissipation Pd
1.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit