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NTJS4151PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJS4151PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2159
Mise en bobine81Y7048
Bandes découpées81Y7048
Votre numéro de pièce
97 210 En Stock
28 210 disponibles sur {packagingType}
69 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,726 $ | 0,73 $ |
| Total Prix | 0,73 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,726 $ |
| 10+ | 0,474 $ |
| 25+ | 0,426 $ |
| 50+ | 0,377 $ |
| 100+ | 0,328 $ |
| 250+ | 0,296 $ |
| 500+ | 0,265 $ |
| 1000+ | 0,241 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,164 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJS4151PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2159
Mise en bobine81Y7048
Bandes découpées81Y7048
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.047ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
- Gate diodes for ESD protection
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
On Resistance Rds(on)
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTJS4151PT1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit