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NTMD6P02R2G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 7.8 A, 33 mohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMD6P02R2GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande09R9661
Votre numéro de pièce
15 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,300 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 250,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMD6P02R2GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande09R9661
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7.8A
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source On State Resistance33mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max880mV
Power Dissipation2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
880mV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.8A
Drain Source On State Resistance
33mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit