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NTP082N65S3F
MOSFET, N-CH, 650V, 40A, TO-220
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTP082N65S3FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande37AC0870
Gamme de produitSuperFET III FRFET
Votre numéro de pièce
9 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,750 $ |
| 10+ | 12,540 $ |
| 25+ | 10,330 $ |
| 50+ | 8,110 $ |
| 100+ | 7,480 $ |
| 250+ | 7,040 $ |
| 500+ | 6,610 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
14,75 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTP082N65S3FCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande37AC0870
Gamme de produitSuperFET III FRFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance0.082ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation313W
Power Dissipation Pd313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III FRFET
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III FRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.082ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTP082N65S3F
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit