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NTR1P02LT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR1P02LT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9586
Bandes découpées10N9586
Votre numéro de pièce
306 000 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 6000 | 0,174 $ | 1 044,00 $ |
| Total Prix | 1 044,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 0,174 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR1P02LT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9586
Bandes découpées10N9586
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd400mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Power Dissipation Pd
400mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit