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NTR1P02LT3G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,124 $ |
| 12000+ | 0,107 $ |
| 18000+ | 0,100 $ |
| 30000+ | 0,089 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 10000
Multiple: 10000
1 240,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR1P02LT3G
Code Commande05R9179
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd400mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
NTR1P02LT3G is a P Channel, -20V, -1.3A, 0.14ohm, power MOSFET. This miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life
- Drain to source breakdown voltage is -20V min
- Zero gate voltage drain current is -1µA at (VDS = -16V, VGS = 0V)
- Gate threshold voltage is -1.25V
- 225pF input capacitance at VDS = -5V
- 7/18ns turn-on/off delay time, 15/9ns rise/fall time (VGS=-4.5V, VDD=-5V, ID=-1A, RL=5ohm, RG=6ohm)
- Thermal resistance junction to ambient (RJA) is 300°C/W
- 400mW total power dissipation at TA = 25°C
- 3-pin SOT-23 package saves board space
- Operating and storage temperature (TJ, Tstg) range from - 55 to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
400mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit