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NTR1P02T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR1P02T1G
Code Commande10N9587
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.148ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd400mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NTR1P02T1G
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The NTR1P02T1G is a P-channel Power MOSFET features ultra-low on-resistance provides higher efficiency and extends battery life.
Applications
Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
0.148ohm
Power Dissipation Pd
400mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits