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NTR4003NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4003NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK1733
Mise en bobine10N9588
Bandes découpées10N9588
Votre numéro de pièce
803 429 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,144 $ | 0,14 $ |
| Total Prix | 0,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,144 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,100 $ |
| 6000+ | 0,087 $ |
| 12000+ | 0,074 $ |
| 18000+ | 0,062 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4003NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK1733
Mise en bobine10N9588
Bandes découpées10N9588
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id560mA
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Power Dissipation Pd830mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTR4003NT1G is a N-channel Small-signal MOSFET offers 30V drain source voltage and 0.5A continuous drain current. It is suitable for notebooks used as level shifters, logic switches and low side load switches.
- Low gate voltage threshold VGS (th) to facilitate drive circuit design
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- SOT-23 Package provides excellent thermal performance
- Minimum breakdown voltage rating of 30V
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
830mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
560mA
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Rds(on) Test Voltage
4V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit