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NTR4101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.2 A, 85 mohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4101PT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10P1661
Bandes découpées10P1661
Votre numéro de pièce
382 156 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,616 $ | 0,62 $ |
| Total Prix | 0,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,616 $ |
| 10+ | 0,395 $ |
| 25+ | 0,351 $ |
| 50+ | 0,306 $ |
| 100+ | 0,262 $ |
| 250+ | 0,233 $ |
| 500+ | 0,203 $ |
| 1000+ | 0,185 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4101PT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10P1661
Bandes découpées10P1661
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd730mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTR4101PT1G is a P-channel Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.4A continuous drain current. It is suitable for charging circuits and battery protection, load management for portables and computing applications.
- Leading -20V Trench for low RDS (ON)
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Power Dissipation Pd
730mW
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit