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NTR4101PT1G
MOSFET, P, 20V, SOT-23
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4101PT1G
Code Commande
Mise en bobine58M9927
Bandes découpées58M9927
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Fiche technique
34 033 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,606 $ |
| 10+ | 0,363 $ |
| 25+ | 0,331 $ |
| 50+ | 0,298 $ |
| 100+ | 0,266 $ |
| 250+ | 0,237 $ |
| 500+ | 0,208 $ |
| 1000+ | 0,189 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4101PT1G
Code Commande
Mise en bobine58M9927
Bandes découpées58M9927
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.2A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd730mW
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
730mW
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit