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NTRV4101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Surface Mount
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1 056 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,261 $ |
| 5000+ | 0,238 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
783,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTRV4101PT1GCopie
Code Commande10AN4205
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max720mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
720mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit