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NVBG020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N090SC1
Code Commande54AH9511
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
441 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 67,390 $ |
| 10+ | 57,740 $ |
| 25+ | 57,410 $ |
| 50+ | 57,090 $ |
| 100+ | 56,760 $ |
| 250+ | 56,740 $ |
| 500+ | 56,730 $ |
| 1600+ | 52,030 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
67,39 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N090SC1
Code Commande54AH9511
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Power Dissipation Pd477W
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
477W
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
To Be Advised
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits