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NVBG020N090SC1
SIC MOSFET, N-CH, 900V, 112A, TO-263-7
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N090SC1
Code Commande54AH9511
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
441 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 50,470 $ |
| 10+ | 40,520 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
50,47 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N090SC1
Code Commande54AH9511
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds900V
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Power Dissipation Pd477W
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
477W
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits