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NVBG020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande41AH2117
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
717 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 95,430 $ |
| 10+ | 86,490 $ |
| 25+ | 86,480 $ |
| 50+ | 85,860 $ |
| 100+ | 85,250 $ |
| 250+ | 85,220 $ |
| 500+ | 82,570 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
95,43 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande41AH2117
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd468W
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Power Dissipation Pd
468W
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
468W
Product Range
EliteSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits