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NVBG020N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 98A, TO-263-7
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande
Mise en bobine41AH2117
Bandes découpées41AH2117
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
666 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 91,790 $ | 91,79 $ |
| Total Prix | 91,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 91,790 $ |
| 10+ | 82,850 $ |
| 25+ | 81,540 $ |
| 50+ | 80,250 $ |
| 100+ | 78,940 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG020N120SC1
Code Commande
Mise en bobine41AH2117
Bandes découpées41AH2117
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Power Dissipation Pd468W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Aperçu du produit
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
468W
Product Range
EliteSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
468W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits