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NVTFS4C08NTAG
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.0059 ohm, WDFN, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS4C08NTAG
Code Commande47X2338
Gamme de produitNVTFS4C08N Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 2 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,912 $ |
| 3000+ | 0,890 $ |
| 6000+ | 0,822 $ |
| 12000+ | 0,769 $ |
| 18000+ | 0,716 $ |
| 30000+ | 0,684 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1500
Multiple: 1500
1 368,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTFS4C08NTAG
Code Commande47X2338
Gamme de produitNVTFS4C08N Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.0059ohm
On Resistance Rds(on)0.0047ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd31W
Power Dissipation31W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeNVTFS4C08N Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0059ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
31W
No. of Pins
8Pins
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.0047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
NVTFS4C08N Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit