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NXH006P120MNF2PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH006P120MNF2PTGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande81AJ0364
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH006P120MNF2PTGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande81AJ0364
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id304A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00548ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.83V
Power Dissipation950W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
304A
Drain Source On State Resistance
0.00548ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.83V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
950W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH006P120MNF2PTG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit