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NXH040F120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 113,570 $ |
| 5+ | 110,520 $ |
| 10+ | 107,340 $ |
| 25+ | 105,740 $ |
| 50+ | 104,200 $ |
| 100+ | 97,940 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH040F120MNF1PTG
Code Commande29AK2755
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
Power Dissipation74W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.81V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
74W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH040F120MNF1PTG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit