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UF3C065030B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065030B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1745RL
Bandes découpées47AK1745
Votre numéro de pièce
1 388 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 41,470 $ | 41,47 $ |
| Total Prix | 41,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 41,470 $ |
| 10+ | 32,390 $ |
| 250+ | 32,380 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065030B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1745RL
Bandes découpées47AK1745
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance27mohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation242W
Power Dissipation Pd242W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
242W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
27mohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
242W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit