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UF3C065040B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065040B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1749RL
Bandes découpées47AK1749
Votre numéro de pièce
103 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 30,060 $ | 30,06 $ |
| Total Prix | 30,06 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 30,060 $ |
| 10+ | 22,770 $ |
| 25+ | 21,910 $ |
| 50+ | 21,030 $ |
| 100+ | 20,160 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065040B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1749RL
Bandes découpées47AK1749
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd176W
Power Dissipation176W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
42mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
176W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation Pd
176W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit