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UF3C065080B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065080B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1753RL
Bandes découpées47AK1753
Votre numéro de pièce
705 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 19,060 $ | 19,06 $ |
| Total Prix | 19,06 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,060 $ |
| 10+ | 14,130 $ |
| 25+ | 13,320 $ |
| 50+ | 12,500 $ |
| 100+ | 11,690 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065080B3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine47AK1753RL
Bandes découpées47AK1753
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation115W
Power Dissipation Pd115W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
115W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit