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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4C120053B7SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1473RL
Bandes découpées49AM1473
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
560 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 22,750 $ | 22,75 $ |
| Total Prix | 22,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,750 $ |
| 50+ | 13,860 $ |
| 100+ | 13,580 $ |
| 250+ | 13,300 $ |
| 500+ | 13,030 $ |
| 1000+ | 12,750 $ |
| 2500+ | 12,470 $ |
| 5000+ | 12,190 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4C120053B7SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1473RL
Bandes découpées49AM1473
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
250W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
