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UJ4C075060L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 27.8 A, 750 V, 0.074 ohm, SOIC
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4C075060L8SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1489RL
Bandes découpées49AM1489
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
2 000 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 16,980 $ | 16,98 $ |
| Total Prix | 16,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,980 $ |
| 10+ | 11,720 $ |
| 25+ | 10,870 $ |
| 50+ | 9,990 $ |
| 100+ | 9,150 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4C075060L8SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM1489RL
Bandes découpées49AM1489
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27.8A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation155W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
27.8A
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
155W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit