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UJ4SC075010L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 0.0142 ohm, SOIC
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4SC075010L8SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Mise en bobine50AM7316RL
Bandes découpées50AM7316
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
1 960 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 42,980 $ | 42,98 $ |
| Total Prix | 42,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 42,980 $ |
| 10+ | 31,360 $ |
| 25+ | 30,970 $ |
| 50+ | 30,580 $ |
| 100+ | 30,200 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4SC075010L8SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant30 semaines
Code Commande
Mise en bobine50AM7316RL
Bandes découpées50AM7316
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.0142ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation556W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
0.0142ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
556W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit