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BSM180C12P2E202
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 204A, MODULE
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3 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 913,230 $ |
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Minimum: 1
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913,23 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM180C12P2E202
Code Commande88AH6158
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationChopper
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id204A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd1.36kW
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.36kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Chopper
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
1.36kW
Power Dissipation
1.36kW
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
204A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits