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BSM300D12P4G101
MOSFET, DUAL N-CH, 1.2KV, 291A, MODULE
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FabricantROHM
Réf. FabricantBSM300D12P4G101Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande70AK6460
Votre numéro de pièce
3 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 995,860 $ |
| 5+ | 980,130 $ |
| 10+ | 964,890 $ |
| 25+ | 948,990 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
995,86 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM300D12P4G101Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande70AK6460
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id291A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation925W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
291A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
925W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit