Imprimer la page
BSM400D12P3G002
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 730,550 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1 730,55 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM400D12P3G002
Code Commande88AH6169
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Power Dissipation Pd1.57kW
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.57kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.57kW
Product Range
-
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Power Dissipation Pd
1.57kW
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits