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SCT3040KW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 56 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3040KW7TLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande93AH0358
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 32 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 52,780 $ |
| 5+ | 47,740 $ |
| 10+ | 42,690 $ |
| 25+ | 42,130 $ |
| 50+ | 41,590 $ |
| 100+ | 41,040 $ |
| 250+ | 40,210 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
52,78 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3040KW7TLCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant32 semaines
Code Commande93AH0358
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd267W
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation267W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
267W
Power Dissipation
267W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits