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SEMIX 253GB176HDC
IGBT Module, Dual, 250 A, 2.45 V, 150 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX 253GB176HDC
Code Commande09J5166
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current250A
Continuous Collector Current250A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins16Pins
IGBT TechnologyTrench
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit