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SEMIX653GB176HDS
IGBT Module, Dual, 619 A, 2.45 V, 150 °C, SEMiX 3s
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX653GB176HDSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande16M0126
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6+ | 503,090 $ |
| 10+ | 495,960 $ |
| 25+ | 467,410 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
3 018,54 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX653GB176HDSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande16M0126
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current619A
Continuous Collector Current619A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2V
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSEMiX 3s
No. of Pins16Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.45V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2V
Transistor Case Style
SEMiX 3s
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit