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SEMIX703GB126HDS
IGBT Module, Half Bridge, 642 A, 2.1 V, 150 °C, SEMiX 3s
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 447,060 $ |
| 10+ | 440,700 $ |
| 25+ | 415,350 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
2 682,36 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX703GB126HDS
Code Commande16M0127
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current642A
Continuous Collector Current642A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2V
Transistor Case StyleSEMiX 3s
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
642A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2V
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
642A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.1V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SEMiX 3s
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit