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SK 25 GH 12T4
IGBT Module, H Bridge, 35 A, 1.85 V, 175 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 71,020 $ |
| 25+ | 66,260 $ |
| 50+ | 61,940 $ |
| 100+ | 60,640 $ |
| 250+ | 58,900 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 10
Multiple: 10
710,20 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSK 25 GH 12T4
Code Commande23X8883
Fiche technique
IGBT ConfigurationH Bridge
Transistor PolarityQuad NPN
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
H Bridge
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Transistor Polarity
Quad NPN
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit