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SKIM609GAL12E4
IGBT Module, 748 A, 1.2 kV, 175 °C
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 970,820 $ |
| 8+ | 1 813,150 $ |
| 12+ | 1 734,320 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 4
Multiple: 4
7 883,28 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKIM609GAL12E4
Code Commande77R2507
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
DC Collector Current748A
Continuous Collector Current748A
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo800mV
Transistor Case Style-
No. of Pins32Pins
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max800mV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
748A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
800mV
No. of Pins
32Pins
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
748A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
-
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
800mV
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit