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SKM 100 GB 176 DN
IGBT Module, 130 A, 2.45 V, 150 °C, SEMITRANS 2
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM 100 GB 176 DN
Code Commande88K1185
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current130A
DC Collector Current130A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
130A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
130A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit