Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM 195 GAL 063DN
Code Commande88K1190
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current250A
DC Collector Current250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)600V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation960W
Power Dissipation Pd960W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
No. of Pins5Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
600V
Power Dissipation
960W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
No. of Pins
5Pins
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
250A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Power Dissipation Pd
960W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit