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SKM300GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 422 A, 1.85 V, 125 °C, Module
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GB12E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2572
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12+ | 322,960 $ |
| 25+ | 304,370 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
3 875,52 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GB12E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2572
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Aperçu du produit
The SKM300GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Applications
Power Management
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit