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SKM300GBD12T4
IGBT Module, Dual, 422 A, 1.85 V, 125 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 369,030 $ |
| 25+ | 347,790 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
4 428,36 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GBD12T4
Code Commande27T8365
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Product Range
-
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit